Российские ученые создали базу для «универсальной» памяти
 /  PD

Ученым из МФТИ впервые удалось вырастить сегнетоэлектрические пленки, которые смогут стать основой для элементов энергонезависимой памяти. Об этом сообщает ТАСС, ссылаясь на пресс-службу МФТИ.

Отмечается, что данные пленки сверхтонкие (2,5 нанометра). Они созданы на основе оксида гафния. Структуры из данного материала полностью совместимы с кремниевой технологией. Это говорит о том, что в самом ближайшем будущем уже на кремнии могут быть разработаны новые устройства энергонезависимой памяти с использованием сегнетоэлектрических поликристаллических слоев оксида гафния.

Ведущим автором данного исследования стал Андрей Зенкевич, который является заведующим лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ.

В сообщении отмечается, что в данный момент объем хранимой и обрабатываемой информации в мире с каждый годом возрастает в два раза. Для обработки данных требуется все больше компьютерной памяти. В первую очередь, конечно, энергонезависимой. Энергонезависимая память – это такая память, которая хранит информацию даже после того, как устройство было выключено из сети. В данном случае идеалом стала бы «универсальная» память, которая была бы также быстра, как оперативная память, имела вместимость жесткого диска и энергонезависимость флешки.

Заслуга ученых из МФТИ состоит в том, что им удалось вырастить сверхтонкую, туннельно-прозрачную пленку оксид гафния вещества на кремниевой подложке, сохранив при этом его сегнетоэлектрические свойства.