В России создан ультратонкий материал для смартфонов будущего
 /  PD

Российские ученые разработали ультратонкую пленку для спин-орбитроники – электроники нового поколения. Толщина магнитного слоя материала составляет всего четыре атома.

Ультратонкий материал для электроники будущего разработан в Дальневосточном федеральном университете (ДВФУ). Пленка является поликристаллической и создана по формуле Ru/Co/Ru (три слоя, рутений/кобальт/рутений). Толщина материала составляет всего четыре атомных слоя, т.е. менее одного нанометра.

Российские ученые первыми в мире создали такой материал. Отмечается, что он открывает новую эру в электронике, поскольку полупроводниковые технологии фактически достигли своего предела. Гаджеты будущего будут использовать достижения спин-орбитроники, материалы, подобные новой пленке, позволят не только в разы ускорить процесс обработки информации, но и существенно снизить объем энергопотребления. Проще говоря, аккумуляторы, созданные из нанопленки, смогут работать без подзарядки несколько недель.

Также ученые утверждают, что спин-орбитроника позволит значительно сократить время и затраты на производство гаджетов, что приведет к падению их стоимости.

Ранее российские ученые создали новейший лазер для навигации самолетов в плохую погоду.